| 发明名称 | 氧化钇材料、半导体制造装置用部件及氧化钇材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法，能够进一步提高氧化钇材料的机械性强度。作为半导体制造装置用部件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化钇材料构成，该氧化钇材料至少包括：氧化钇(Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、碳化硅(SiC)、以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为La、Y等的RE<sub>8</sub>Si<sub>4</sub>N<sub>4</sub>O<sub>14</sub>作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该RE<sub>8</sub>Si<sub>4</sub>N<sub>4</sub>O<sub>14</sub>是由作为原料的主成分的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和作为原料添加的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>等在烧结过程中生成的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度和体积电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN101508567A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910007179.2 | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 小林义政;胜田佑司 |
| 分类号 | C04B35/505(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/505(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟 晶 |
| 主权项 | 1. 一种氧化钇材料，其特征在于，含有：Y2O3、SiC以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||