| 发明名称 |
Method for forming a fully germano-silicided gate mosfet and devices obtained thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1744352(A3) |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
| 申请号 |
EP20060447038 |
申请日期 |
2006.03.17 |
| 申请人 |
IMEC |
发明人 |
YU, HONGYU;BIESEMANS, SERGE |
| 分类号 |
H01L29/49;H01L21/28;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/49 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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