| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有高电迁移耐性铜布线的半导体器件。本发明的半导体器件是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100530565C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200680006603.6 | 申请日期 | 2006.02.23 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 木下多贺雄 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.半导体器件，其是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，其中，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||