存储器装置

摘要

一种实现相变元件的保持特性的改善的相变存储器及其刷新方法。利用属于DRAM接口互换的存储器这一点，设置被给予与读出·写入次数对应的应力的伪单元(109，110)，由比较电路(111，112)检出该伪单元的相变元件的阻抗值的变化，在阻抗值变为预先设定了的基准值及以上的场合(低阻抗化)，刷新要求电路(107)对未图示的内部电路要求刷新动作，对存储器单元和伪单元一次进行刷新，补正相变元件的编程阻抗值的偏差，在确保余量的同时，实现保持特性的改善。

主权项

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：多个比特线和多个字线；多个存储器单元，所述存储器单元设置在比特线和字线的交叉部，具有可编程的阻抗元件；伪单元，所述伪单元具有可编程的阻抗元件，所述伪单元用于监视所述存储器单元的阻抗值；比较电路，对所述伪单元的阻抗值和所述存储器单元的基准阻抗值进行比较；以及刷新要求电路，根据由所述比较电路检测出的所述伪单元的阻抗值的变化，生成并输出用于进行所述存储器单元的刷新动作的信号。