发明名称 一种透明导电氧化物薄膜制备设备及方法
摘要 本发明涉及透明导电氧化物薄膜,特别涉及透明导电氧化物薄膜的制备设备及方法。透明导电氧化物薄膜制备设备,包括:带有抽真空系统和进气系统的封闭反应室;在封闭反应室内设有可运动或旋转的基板架,并配有加热器与挡板;与基板架相对设置的溅射源;其不同之处在于,在基板架与溅射源之间还设有氧离子源。氧离子源与基板架中心角度在0到180度范围内可调。本发明采用活性等离子体氧取代氧气作为反应物,大大降低了阳极“消失”和阴极“中毒”的几率,减少了“起弧”频率,提高了系统的运行稳定性,且结构简单,造价低,运行及维护成本低。
申请公布号 CN101509126A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200910105793.2 申请日期 2009.03.18
申请人 王凯;姚栋 发明人 王凯;姚栋
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/38(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种透明导电氧化物薄膜制备设备,包括:带有抽真空系统(9)和进气系统(10)的封闭反应室(1);在封闭反应室(1)内设有可运动或旋转的基板架(7),并配有加热器(8)与挡板(13);与基板架(7)相对设置的溅射源;其特征在于,在基板架(7)与溅射源之间还设有氧离子源(6)。
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