主动元件阵列基板及其制造方法

摘要

一种主动元件阵列基板及其制造方法，其包括下列步骤。先于基板上形成依序堆迭的第一图案化半导体层、栅绝缘层、第一图案化导体层与第一介电层。于第一介电层与栅绝缘层中形成多个暴露第一图案化半导体层的第一接触窗。于第一介电层上同时形成第二图案化导体层与一位于其上的第二图案化半导体层，第二图案化导体层包括多个接触导体与底电极，第二图案化半导体层包括一主动层。于第一介电层上形成具有多个第二接触窗的第二介电层，部分第二接触窗将主动层暴露。于第二介电层上形成一通过部分第二接触窗与主动层电连接的第三图案化导体层。

主权项

1. 一种主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一缓冲介电层、一第一图案化半导体层、一栅绝缘层、一第一图案化导体层以及一第一介电层，其中所述栅绝缘层覆盖所述第一图案化半导体层，而所述第一图案化导体层配置于所述栅绝缘层上，且所述第一介电层配置于所述栅绝缘层上以覆盖所述第一图案化导体层；于所述第一介电层与所述栅绝缘层中形成多个将所述第一图案化半导体层暴露的第一接触窗；于所述第一介电层上同时形成一第二图案化导体层以及一位于所述第二图案化导体层上的第二图案化半导体层，其中所述第二图案化导体层包括多个接触导体以及一底电极，而所述第二图案化半导体层包括一位于所述底电极上的主动层；于所述第一介电层上形成一第二介电层；于所述第二介电层中形成多个第二接触窗，其中部分所述这些第二接触窗将所述主动层暴露；以及于所述第二介电层上形成一第三图案化导体层，其中部分所述第三图案化导体层通过部分所述这些第二接触窗与所述主动层电连接。