发明名称 用于片上电感器的设计规则
摘要 提供了亚100纳米半导体器件和用于制造器件特别是电感器的方法以及程序产品,该电感器包括设置在电介质表面上的多个间隔的平行金属线,并且每个金属线具有被确定作为设计规则检查规则的函数的宽度、高度、间距和截面面积。对于一个平整化工艺规则,确定和产生80%金属对20%电介质表面的金属密度比例。在一个示例中,金属线的间距间隙之和小于金属线内部侧壁高度之和。在一个方面,选择线高度、宽度和线间距尺寸中的至少一个,以使芯片成品率、芯片性能、芯片可制造性和电感器Q因子参数中的一个或多个优化。
申请公布号 CN101512724A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200780032931.8 申请日期 2007.09.18
申请人 国际商业机器公司 发明人 赵忠衍;金大益;金钟海;金文柱;J-O·普鲁查特;R·特兹辛斯基
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01F41/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 屠长存
主权项 1. 一种亚100纳米工艺半导体电感器,包括多个间隔开的平行金属线,所述金属线设置于电介质表面上并且将第一电感器端口连接到第二电感器端口;所述线每一均具有宽度和截面面积,每个线与相邻的线通过间距间隙而间隔开。
地址 美国纽约