发明名称 硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法
摘要 硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法,其特征是,对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角,且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构,其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现:首先建立直角补偿图形的拓扑结构,然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。所有直角补偿图形的外轮廓均起始于表示<100>晶向的直线b1(或b2),并且具体图形可以由下列方法之一生成:本发明具有理论原理清晰,具体补偿生成方便、灵活的优点。同时,因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径,非常适合应用到计算机辅助设计系统中。
申请公布号 CN101510508A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200910029826.X 申请日期 2009.03.18
申请人 东南大学 发明人 李伟华;张涵
分类号 H01L21/306(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 叶连生
主权项 1、一种硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法,其特征是,对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角,且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构,其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现:首先建立直角补偿图形的拓扑结构,然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。
地址 211109江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号