发明名称 |
硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法 |
摘要 |
硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法,其特征是,对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角,且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构,其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现:首先建立直角补偿图形的拓扑结构,然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。所有直角补偿图形的外轮廓均起始于表示<100>晶向的直线b1(或b2),并且具体图形可以由下列方法之一生成:本发明具有理论原理清晰,具体补偿生成方便、灵活的优点。同时,因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径,非常适合应用到计算机辅助设计系统中。 |
申请公布号 |
CN101510508A |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
申请号 |
CN200910029826.X |
申请日期 |
2009.03.18 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
李伟华;张涵 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
1、一种硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法,其特征是,对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角,且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构,其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现:首先建立直角补偿图形的拓扑结构,然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。 |
地址 |
211109江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |