| 发明名称 | 半导体装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在包围接合用开口(108)的焊垫(101)各边设有缝隙状的空隙区域(107)，以空隙区域(107a)作为边界，分割为焊垫(101)的接合用开口(108)侧区域(101a)和相邻设置的配线层(102)侧区域(101b)。配线层(102)侧区域(101b)与接合用开口(108)侧区域(101a)分离达空隙区域(107a)的宽度，且因为在该部分有比金属材料更柔软材料的钝化膜(103)的一部分形成被埋入的状态，所以热应力是通过空隙区域(107a)吸收、分散，并且大幅地抑制金属原子从接合用开口(108)侧区域(101a)扩散到配线层(102)侧区域(101b)。 | ||
| 申请公布号 | CN100530577C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200480044750.3 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 | 发明人 | 铃木清市 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟;孙向民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具备有相邻设置的焊垫部和配线部，并在上述焊垫设置有空隙区域，以阻碍连接于上述焊垫的接合线的金属原子朝向上述焊垫的上述配线部侧直线扩散，其中，上述配线部和上述焊垫的一部分区域以保护膜覆盖，且在设置于上述一部分区域的空隙区域充填有上述保护膜的一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||