半导体装置及其制造方法

摘要

如果用SOI衬底的硅有源层形成电阻，由于埋设绝缘膜的出现，因而使得在电阻下面的半导体支持衬底上形成密布的小阱变得十分困难。同样，要控制阱的电势分压也变得十分困难。由此就出现了这样一个问题：电阻值随着电势的变化而变化。形如岛状的硅有源层和埋设绝缘膜经蚀刻而成。由多晶硅制成的侧面垫片形成于形如岛状的硅有源层、埋设绝缘膜和半导体支持衬底的梯阶部分的侧壁上。侧面垫片的电势也得到控制。因而可以消除由于半导体支持衬底与电阻之间的电势差的变化而引起的电阻值的变化。进而，由于第一电阻而引起的精确电势分压也变得容易了。

主权项

1、一种半导体装置，所述的半导体装置设置在一个绝缘体上硅的衬底上，包括一半导体支持衬底，一布置在半导体支持衬底上的埋设绝缘膜，及一形成于所述埋设绝缘膜上的硅有源层，其中，所述硅有源层的一部分和所述埋设绝缘膜的一部分被移除，其中所述硅有源层和所述埋设绝缘膜的形状为岛状，并位于所述半导体支持衬底上，以及其中所述半导体装置中的电阻电路是利用所述岛状的硅有源层作为单晶硅电阻而形成。