| 发明名称 | 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN100529039C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200510075587.3 | 申请日期 | 2005.06.06 |
| 申请人 | 索尼株式会社;株式会社东芝;关东化学株式会社 | 发明人 | 村松真文;浅田和己;萩野友纪乃;奥山敦;中岛崇人;高濑和彦;鱼住宜弘;松村刚;大和田拓央;石川典夫 |
| 分类号 | C11D3/24(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | C11D3/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1、一种干蚀刻后的洗涤液组合物，其是洗涤干蚀刻后的基板的洗涤液组合物，其特征在于，该洗涤液组合物含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||