在源漏区域形成两种厚度硅化物的工艺

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了优化硅化物模块工艺，在源漏极区域生长不同厚度硅化物，在源漏除了接触孔区域以外的其它区域的硅化物厚度较薄以满足晶体管浅结的要求。而在栅极和源漏形成接触孔的区域的硅化物厚度较厚以满足低电阻的要求。为此用介质膜在生长某一种厚度硅化物的时候覆盖住需要保护的有源区区域，同时在源漏区域有两种不同的结深。有不同的途径可以实现这一目的，根据需要加以选择。

主权项

1、在晶体管的有源区形成不同厚度硅化物的工艺，其特征在于通过淀积介质膜作为掩膜，首先挡住有源区域中栅极区域和源漏接触孔区域，通过金属溅射和退火使源漏其它区域形成硅化物，然后淀积介质膜挡住已形成硅化物的源漏其它区域，经刻蚀暴露出栅极区域和源漏接触孔区域，再通过金属溅射和退火使栅极区域和源漏接触孔区域形成比源漏其它区域厚的另一厚度硅化物；上述源漏其它区域是指源漏区域除了接触孔区域外的其它部分。