半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置具有：存储部(100)，其形成在半导体基板(51)上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1STI区域(52)，该第1晶体管具有在半导体基板(51)与存储部电极(58)之间可积累电荷的ONO膜(56)；和CMOS部(200)，其形成在半导体基板(51)上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2STI区域(53)，该第2晶体管具有CMOS部电极(59)及栅绝缘膜(57)。第1STI区域(52)的上面的高度设定为与第2STI区域(53)的上面的高度相等或者比其低。因此，可以防止存储部中的扩散层电阻的增大，还可进一步防止在硅化扩散层的情况下产生的硅化细线电阻的增大以及接触器的接合边界的减小。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具备：存储部，其形成在半导体区域上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1绝缘分离区域，该第1晶体管具有在所述半导体区域与第1栅电极之间可积累电荷且与所述半导体区域直接地接触而形成的第1栅绝缘膜；和逻辑部，其形成在所述半导体区域上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2绝缘分离区域，该第2晶体管具有第2栅电极以及第2栅绝缘膜，在所述存储部中，所述第1栅绝缘膜及所述第1栅电极的一部分按照跨过所述第1绝缘分离区域之上的方式形成，在所述逻辑部中，所述第2栅绝缘膜及所述第2栅电极的一部分按照跨过所述第2绝缘分离区域之上的方式形成，所述第1栅绝缘膜的组成与所述第2栅绝缘膜的组成不同，所述第1栅绝缘膜及第1栅电极的一部分跨过所述第1绝缘分离区域之上的区域中的所述第1绝缘分离区域的上面距所述半导体区域的表面的高度，与所述第2栅绝缘膜及第2栅电极的一部分跨过所述第2绝缘分离区域之上的区域中的所述第2绝缘分离区域的上面距所述半导体区域的表面的高度相等或者比其低。