发明名称 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器
摘要 半导体存储器件包括数量为N的多个外部端口,每个外部端口都接收指令,和一个内部电路,它在输入到一个外部端口的指令的最小时间间隔中至少实施N次存取操作。
申请公布号 CN100530418C 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200610054990.2 申请日期 2001.11.26
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 松崎康郎;铃木孝章;山崎雅文;川崎健一;鎌田心之介
分类号 G11C7/22(2006.01)I;G11C8/16(2006.01)I;G11C11/409(2006.01)I 主分类号 G11C7/22(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:数量为N的多个外部端口,每个外部端口都接收指令,其中N等于或者大于2,内部电路,它在输入到一个外部端口的各指令的最小时间间隔期间至少执行N次存取操作,判优电路,它确定指令执行次序,所述内部电路以该次序执行输入到N个相应外部端口中的多个指令;地址比较电路,它确定在输入到N个相应外部端口中的多个指令中是否存在两个或多个存取同一地址的指令;和信号输出电路,它响应于存在两个或多个存取同一地址的指令的情况将预定信号输出到器件外部。
地址 日本东京