发明名称 一种棉毛鹿茸草的离体培养法
摘要 本发明公开了一种棉毛鹿茸草的离体培养法,依次包括以下步骤:1)绵毛鹿茸草嫩芽进行冲洗;2)经常规消毒后,切成小段嫩芽I接种到诱导不定芽培养基上进行培养;3)切取小段嫩芽I上长出的不定芽,将所得的小段嫩芽II接种到增殖培养基上进行培养;4)切取小段嫩芽II上长出的不定芽,将所得的小段嫩芽III接种到增殖培养基上进行培养;5)切取小段嫩芽III上长出的不定芽,将所得的小苗III接种到生根培养基中;6)待上述小苗III长出大于2cm的至少3条根时,得可出瓶种植的种苗。采用本发明的方法能获得大量的绵毛鹿茸草的种苗。
申请公布号 CN101507415A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200910096955.0 申请日期 2009.03.26
申请人 浙江大学 发明人 张国芳;冯利;毛碧增
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 代理人 金 祺
主权项 1、一种棉毛鹿茸草的离体培养法,其特征是依次包括以下步骤:1)、取无病斑、生长健壮的绵毛鹿茸草嫩芽进行流水冲洗;2)、将上述流水冲洗后的嫩芽经常规消毒,然后切成0.8~1.2cm长的小段嫩芽I,将上述小段嫩芽I接种到诱导不定芽培养基上进行培养;培养条件为:16小时光照,光照强度10~30μmol m-2.s-1,温度为26~28℃;8小时暗培养,温度为20~22℃;上述光照和暗培养交替进行;3)、待小段嫩芽I上长出的不定芽长至2.0~5.0cm高的小苗I时,割取小苗I;将此小苗I切成0.8~1.2cm长的小段嫩芽II,将上述小段嫩芽II接种到增殖培养基上进行培养;培养条件为:16小时光照,光照强度10~30μmol m-2.s-1,温度为26~28℃;8小时暗培养,温度为20~22℃;上述光照和暗培养交替进行;4)、待小段嫩芽II上长出的不定芽长至2.0~5.0cm高的小苗时II,割取小苗II;将此小苗II切成0.8~1.2cm长的小段嫩芽III,将上述小段嫩芽III接种到增殖培养基上进行培养;培养条件为:16小时光照,光照强度10~30μmol m-2.s-1,温度为26~28℃;8小时暗培养,温度为20~22℃;上述光照和暗培养交替进行;5)、待小段嫩芽III上长出的不定芽长至3.0~5.0cm高的小苗III时,割取小苗III;将此小苗III接种到生根培养基中;6)、待上述小苗III长出大于2cm的至少3条根时,得可出瓶种植的种苗。
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