| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法。在具有贯通电极的半导体装置中，防止保护膜及绝缘膜的剥离，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(100)的角部形成用于防止绝缘膜(17)、保护层(23)的剥离的剥离防止层(30)。剥离防止层(30)配置于角部以外的半导体装置(10)的空隙例如球状导电端子(24)之间，从而进一步提高剥离防止效果。其剖面结构在形成于半导体衬底(10)背面的绝缘膜(17)上形成剥离防止层(30)，覆盖该绝缘膜(17)及剥离防止层(30)形成由抗焊料剂等构成的保护层(23)。在剥离防止层(30)利用电解镀敷法形成时，具有由势垒籽晶层(20)和上层的铜层(25)构成的层积结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100530609C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200510106863.8 | 申请日期 | 2005.09.26 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 梅本光雄;龟山工次郎;铃木彰 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨 梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；焊盘电极，其通过第一绝缘膜形成于所述半导体衬底的表面；通孔，其贯通所述半导体衬底并到达所述焊盘电极；第二绝缘膜，其覆盖所述通孔的侧壁及半导体衬底的背面；贯通电极，其形成于所述通孔之中，且与所述焊盘电极连接；由金属层构成的剥离防止层，其形成于在所述半导体衬底的背面形成的所述第二绝缘膜上；保护层，其覆盖所述贯通电极、所述第二绝缘膜及所述剥离防止层；所述剥离防止层设于所述半导体衬底的角部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||