发明名称 发光二极管结构
摘要 根据本发明的一个方面,包括有源芯层和具有第一折射率的至少一个基板层的发光二极管(LED)结构,在结构内包括二维光子准晶体。该光子准晶体包括具有第二折射率的区域阵列,该阵列表现出长程有序性而短程无序性。该长程有序性与该结构的衍射特性有关,且产生从LED射出的均匀的远场衍射图案。本发明具有的益处是,可以提高从LED提取的光提取效率而不会导致不理想的远场照明图案。
申请公布号 CN100530712C 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200580032013.6 申请日期 2005.09.20
申请人 旭晶光科技股份有限公司 发明人 马吉德·祖罗布;约翰·林肯
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 章社杲;吴贵明
主权项 1.一种发光二极管结构,包括用于在激发时产生自发发射光的有源芯层和具有第一折射率的至少一个基板层,所述结构包括在所述基板层内的二维光子晶体,所述光子晶体包括具有第二折射率的区域阵列,其特征在于,所述光子晶体是光子准晶体,并且所述区域阵列表现出长程有序性以及短程无序性,以耦合输出从所述发光二极管结构发出的位于限定锥角内的自发发射光,所述锥角从所述光子准晶体所在平面的法线开始。
地址 中国台湾苗栗县竹南镇广源科技园区科义街38号5楼