| 发明名称 | 图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成比曝光边界更细的微细图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法是形成成为掩膜的图案的方法，包括：形成第1图案(105)的工序；修整第1图案(105)的宽度的工序；在第1图案(105)的表面上形成边界层(106)的工序；在边界层(106)的表面上形成第2掩膜材料层(107)的工序；为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序；蚀刻边界层(106)而露出第1图案(105)，并且形成在上部具有第2掩膜材料层(107)的第2图案的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101510503A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910006951.9 | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 八重樫英民;志村悟;早川崇 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1. 一种图案形成方法，是形成成为掩膜的规定形状的图案的图案形成方法，该掩膜用于对基板上的被蚀刻层进行蚀刻，其特征在于，包括以下工序：对由光致抗蚀剂构成的第1掩膜材料层进行图案形成而形成第1图案的第1图案形成工序；用于减小上述第1图案的宽度而使该第1图案的宽度形成为规定宽度的修整工序；在上述第1图案的表面上形成由上述光致抗蚀剂和能选择性地除去的材料构成的边界层的边界层形成工序；在上述边界层的表面上形成由能选择性地除去上述边界层的材料构成的第2掩膜材料层的第2掩膜材料层形成工序；为了使上述边界层的顶部露出而除去上述第2掩膜材料层的一部分的第2掩膜材料除去工序；以及蚀刻上述边界层而露出上述第1图案，并且形成在上部具有上述第2掩膜材料层的第2图案的边界层蚀刻工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||