| 发明名称 | 用于干法刻蚀含铪材料的方法和系统 | ||
| 摘要 | 描述了一种利用基于三氯化硼(BCl<sub>3</sub>)的处理化学组分刻蚀含铪层的方法和系统。具有诸如二氧化铪(HfO<sub>2</sub>)层之类的含铪层的衬底受到包括BCl<sub>3</sub>和添加气体的干法刻蚀处理，添加气体包括：含氧气体，例如O<sub>2</sub>；或者含氮气体，例如N<sub>2</sub>；或者烃气体(C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>)，例如CH<sub>4</sub>；或者其中两者或更多者的组合。 | ||
| 申请公布号 | CN101511969A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200780033566.2 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 路易斯·艾斯德罗·费尔南德茨;浦川理史 |
| 分类号 | C09K13/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 剑;南 霆 |
| 主权项 | 1. 一种刻蚀衬底上的含铪层的方法，包括：将具有所述含铪层的所述衬底放置在等离子体处理系统中，其中限定有图案的掩模层覆盖在所述含铪层上；将所述衬底的温度提升到高于大约30摄氏度；向所述等离子体处理系统引入包含BCl3和添加气体的处理组合物；在所述等离子体处理系统中由所述处理组合物形成等离子体；以及将所述衬底暴露于所述等离子体以将所述图案刻蚀到所述含铪层中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||