集成电路结构的蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF-based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。

主权项

1、一种集成电路结构的蚀刻方法，其特征在于，至少包括：提供一基底结构，该基底结构至少包括一基材，其中该基底结构具有一沟渠，且该沟渠具有多个侧面与一底面；提供一欲蚀刻层于该基底结构上；提供一第一聚合物层于该欲蚀刻层上，该第一聚合物层具有一第一部分位于该沟渠的该些侧面上、一第二部分位于该沟渠的该底面上、以及一第三部分位于该基底结构的一上表面上；提供一聚合物覆盖层至少于该第一聚合物层的该第三部分上；进行一第一蚀刻步骤，以移除该第一聚合物层的该第二部分，并暴露出位于该沟渠中部分的该欲蚀刻层；以及进行一第二蚀刻步骤，以移除位于该沟渠中部分的该欲蚀刻层，并暴露出部分的该基底结构；其中该第一聚合物层在该第二蚀刻步骤期间保护直接邻接于该沟渠的该欲蚀刻层的一部分。