巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法

摘要

本发明涉及一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点及其制备方法。该方法具体包括前驱体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明的量子点是以巯基单(或多)元酸包裹的CdX，(X＝S，Se，Te)或ZnX，(X＝S，Se，Te)而形成的量子点，其中巯基单(或多)元酸与CdX或ZnX的摩尔比为2∶1～3∶1；量子点的粒径为2.0-6.0nm。本发明以气体为碲(或硫，硒)源，通过通入H₂X(X＝S，Se，Te)，减少了前驱体溶液的杂志成分，并通过巯基单(或多)元酸的优良亲水性，所制备的II-VI族半导体CdX(X＝S，Se，Te)和ZnX(X＝S，Se，Te)等量子点，分散度较好，荧光范围广，量子产率高达80％以上。同时，毒性小，生物相容性佳，操作较易，可用于药物示踪，诊断性标识等。

主权项

1. 一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点，其特征在于该量子点以巯基单或多元有机酸包裹CdX或ZnX，X＝S，Se，Te而形成的量子点，其中巯基单或多元有机酸与CdX或ZnX的摩尔比为(1.5～3)∶1；量子点的粒径为2.0～6.0nm。