相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法

摘要

本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低相变存储器器件单元的操作电流，减小功耗。

主权项

1、相变材料呈环形的相变存储器器件单元，第1绝缘材料层(2)位于衬底(1)上，下电极层(3)制作在第1绝缘材料层(2)上，第2绝缘材料层(4)制作在下电极层(3)上，在第2绝缘材料上开有一孔(5)并填充加热电极材料，绝热材料层(6)位于第2绝缘层(4)上，并在对应于加热电极上方的绝热材料层上开孔，呈环形的相变材料制作在绝热材料的孔中，使环形相变材料的下端面与加热电极接触，在呈环形的相变材料层上制作上电极，与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为信息存储的载体，且环形相变材料中心填充绝缘材料，其特征在于所述的加热电极材料的直径小于环形相变材料的外径而大于环形相变材料的内径。