| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Avalanchediode, die als ESD-Schutzanordnung verwendet werden kann. Ein Avalanche-Zündbereich wird an dem pn-Übergang der Diode gebildet und enthält ein erhöhtes Defektkonzentrationsniveau, um einen schnellen Einsatz von Avalanchestrom zu gewährleisten. Der Avalanche-Zündbereich wird vorzugsweise breiter als die Diodenverarmungszone gebildet und wird vorzugsweise mittels Plazierung einer atomischen Spezies, die von der der Hauptanordnungsstruktur verschieden ist, vorzugsweise mittels Ionenimplantation, erzeugt. Die Dotierungskonzentration der plazierten atomischen Spezies sollte hoch genug sein, um ein im wesentlichen augenblickliches Einsetzen von Avalanchestrom sicherzustellen, wenn die Dioden-Durchbruchspannung überschritten wird. Die neue atomische Spezies weist vorzugsweise Argon oder Stickstoff auf, es können aber auch andere atomische Spezies verwendet werden. Die anderen Mittel zum Vergrößern eines Defektkonzentrationsniveaus in der Diodenverarmungszone, wie etwa ein abgeändertes Ausheilprogramm, werden jedoch auch in Betracht gezogen. |
