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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterepitaxialkristallsubstrats
摘要
申请公布号 DE112007002162(T5) 申请公布日期 2009.08.13
申请号 DE200711002162T 申请日期 2007.09.14
申请人 SUMITOMO CHEMICAL CO. LTD. 发明人 SAZAWA, HIROYUKI;NISHIKAWA, NAOHIRO;HATA, MASAHIKO
分类号 H01L21/316;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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