| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN100527401C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200610091292.X | 申请日期 | 2006.06.08 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 森田佑一;石部真三;野间崇;大塚久夫;高尾幸弘;金森宽 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：焊盘电极，其形成在半导体衬底上；第一钝化膜，其覆盖上述焊盘电极的端部，并在上述焊盘电极之上具有第一开口部；镀敷层，其经由上述第一开口部而形成在上述焊盘电极之上，并且形成使上述焊盘电极在上述镀敷层与上述第一钝化膜的端部之间露出的露出部；第二钝化膜，其覆盖上述第一钝化膜的端部和上述镀敷层之间的上述焊盘电极的露出部，进而覆盖上述镀敷层的端部，并在上述镀敷层之上具有第二开口部；导电端子，其经由上述第二开口部形成在上述镀敷层之上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||