现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法

摘要

本发明提供一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法，属于通讯技术领域，该方法包括：(1)RAM的总数据个数L＝X*Y，将现场可编程门阵列中RAM的数据结构构造成长方体；(2)长方体沿a方向的高度为W，沿b方向的长度为X或Y，沿c方向的宽度为X或Y；(3)将长方体沿c方向切割X或Y个截面，依次在每个截面上按照写入数据；(4)当写到数据L-Y时，将长方体沿b方向切割X或Y个截面，依次读取每个截面上的数据。本发明利用三维地址操作思想，可以解决传统方案对RAM资源需求过多的问题。

主权项

1、一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法，包括：步骤1、现场可编程门阵列中RAM的总数据个数L分为X个组，每个组Y个数据，即L等于X与Y的乘积，将RAM的数据结构构造成三维结构，该三维结构含有高度、长度和宽度，形状为长方体；步骤2、组数X大于每组的数据个数Y，寻找一个整数W，W与Y的乘积大于X的最小整数，上述三维结构的高度为W个数据，长度为Y个数据，宽度为Y个数据，其沿宽度和长度方向分别包含Y个数据页；步骤3、依次在每个宽度方向的数据页上按照W行和Y列写入X个数据；步骤4、当写到第Y个数据页时，依次读取每个长度方向的数据页上的数据。