| 发明名称 | AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>(1-x-y)</sub>N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>(1-x-y)</sub>N(0≤x≤1，0≤y≤1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101503826A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200910111002.7 | 申请日期 | 2009.02.03 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 康俊勇;李书平;陈航洋;刘达艺;杨伟煌;林伟;李金钗 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1. AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于其具体步骤为：将衬底放置于化学气相沉积装置中，在衬底上生长AlN外延层，得具有AlN生长面的AlN生长面复合基底。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||