发明名称 进行光刻工艺的方法
摘要 本发明提供一种利用具有多平台的光刻机台进行晶片光刻工艺的方法。首先,提供光刻机台,光刻机台包含有第一晶片承座与第二晶片承座。之后,提供晶舟至光刻机台,晶舟内包含有多个晶片,各晶片皆具有晶片编号。接着,设定第一晶片承座去承载晶片编号为奇数的晶片,并且设定第二晶片承座去承载晶片编号为偶数的晶片。其后,利用光刻机台分别对各晶片进行第一光刻工艺。
申请公布号 CN101504510A 申请公布日期 2009.08.12
申请号 CN200810005443.4 申请日期 2008.02.04
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄启清;颜子卿;罗士杰;吴文宗
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 彭久云
主权项 1. 一种进行光刻工艺的方法,包含有:提供光刻机台,该光刻机台包含有第一晶片承座与一第二晶片承座;提供晶舟至该光刻机台,该晶舟内包含有多个晶片,且各该晶片皆具有晶片编号;设定该第一晶片承座去承载晶片编号为奇数的该晶片,并且设定该第二晶片承座去承载晶片编号为偶数的该晶片;以及利用该光刻机台分别对各该晶片进行第一光刻工艺。
地址 中国台湾新竹科学工业园区