| 发明名称 | 多结构的硅鳍形及制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。 | ||
| 申请公布号 | CN100527351C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200410057442.6 | 申请日期 | 2004.08.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李德炯;李炳讚;崔时荣;金泽中;孙龙勋;丁仁洙 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：衬底；从衬底向上延伸的半导体鳍形，其中半导体鳍形包括：上部，该上部具有第一厚度t1和基本上恒定的宽度wo；以及下部，该下部在所述衬底和所述上部之间，并且该下部具有第二厚度t2，邻近上部的顶宽w1和底宽w2，其中w1<w2；以及通过介质材料与半导体鳍形隔开的栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||