去除刻蚀后聚合物的单片清洗方法

摘要

本发明涉及清洗装置。本发明去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置包括底板和设置在底板周围的护框以及设置在护框上的提手，所述底板上均匀分布有若干渗漏孔。本发明的清洗装置的有益效果是：结构简单，相应地成本低廉，操作简单、方便。本发明的清洗方法包括如下将待清洗的硅片放在底板上面；将清洗装置放入带加温装置的浓H₂SO₄清洗槽中清洗；用纯净水冲洗干净；放入HF清洗槽中清洗；用纯净水冲洗干净，烘干即可。使用本发明的清洗方法，所需要的清洗液较少，极大的节约了成本，对于工艺研发阶段具有重要意义。

主权项

1. 一种使用去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置的清洗方法，所述去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置包括：底板(1)和设置在底板(1)周围的护框(2)，以及设置在护框(2)上的提手(4)，所述底板(1)上均匀分布有若干渗漏孔(5)，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、将待清洗的硅片放在底板(1)上面；B、将清洗装置放入带加温装置的浓H2SO4清洗槽中清洗；C、将经步骤B处理的硅片用纯净水冲洗干净；D、将经步骤C处理的硅片放入HF清洗槽中清洗；E、将经步骤D处理的硅片用纯净水冲洗干净，烘干即可。