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Un procedimiento de preparación de sustancias semiconductoras a base de óxido de hierro, caracterizado por el hecho de que se calienta una mezcla de óxido de hierro trivalente y de un óxido de un metal cuyo ión tiene otra valencia, que al calentarse da con el óxido de hierro bivalente una combinación que constituye con el óxido de hierro trivalente un cristal mixto homogéneo, pudiendo presentar además este procedimiento las particularidades siguientes, tomando por separado o en combinación; a) Una mezcla de fe203 y por lo menos uno de los óxidos tio2, zr02 se frita al aire. b) A la mezcla inicial se añade un óxido aislador que forma cristales mixtos con el fe203. c) A la mezcla inicial se añade cerámica aisladora que, después del fritado se separa en forma de segunda fase. d) Por lo menos uno de los óxidos de la mezcla inicial se utiliza en forma de una combinación que, calentada, se transforma en dicho óxido.
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