性能改善的N沟道ESD箝位电路

摘要

一种静电放电(ESD)保护电路使用两个N沟道场效应晶体管(NFET)来从第一电源节点向第二电源节点传导ESD电流。在ESD事件期间，ESD检测电路将两个NFET的栅极通过分离的导电路径都耦合到第一电源节点。在一个新颖方案中，RC触发电路包括通过电阻充电的电容。该电阻涉及到栅极耦合到第二NFET的栅极的P沟道晶体管。在正常加电状态期间，P沟道晶体管是导通的，由此防止如果电源电压VDD迅速升高RC触发器触发。在另一新颖方案中，新颖的电平移动倒相器驱动第二NFET。电平移动倒相器使用下拉电阻器来避免迅速跳回，还使第二NFET的栅极与电容性加载的第三电源节点隔离开。

主权项

1、一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源节点；第二电源节点；具有栅极的第一N沟道场效应晶体管(NFET)；具有栅极的第二NFET，其中所述第二NFET与所述第一NFET串联耦合，使得在静电放电(ESD)事件期间，ESD电流从所述第一电源节点经过所述第一NFET、经过所述第二NFET流到所述第二电源节点；以及ESD检测电路，在所述ESD事件期间，所述ESD检测电路将所述第一和第二NFET的所述栅极耦合到所述第一电源节点。