| 发明名称 | 半导体材料基板的键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料基板的键合方法。提供了一种用于键合以从半导体材料之中选择的材料实现的两片基板的方法，所述方法实现：对各基板的要键合的表面的等离子体激活，所述两片基板中的第一基板的要键合的表面包括氧化层；通过热处理来键合两片基板的步骤。该方法的特征在于，在包含氧气的气氛下执行对所述氧化层的等离子体激活，在中性气氛下执行对第二基板的要键合的表面的等离子体激活。 | ||
| 申请公布号 | CN100527357C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200710169540.2 | 申请日期 | 2007.11.09 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 约努茨·拉杜;奥德丽·兰伯特 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 辉 |
| 主权项 | 1、一种用于键合以从半导体材料之中选择的材料实现的两片基板的方法，所述方法执行：对各基板的要键合的表面的等离子体激活，所述两片基板中的第一基板的要键合的表面包括氧化层；通过热处理来键合所述两片基板的步骤，该方法的特征在于，在包含氧气的气氛下执行对所述氧化层的等离子体激活，在中性气氛下执行对第二基板的要键合的表面的等离子体激活。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||