发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
一种显示装置及其制造方法。本发明的目的为在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由该薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容的显示装置中,提升用以形成保持电容的电极间的绝缘耐压,并提高制造成品率。本发明的显示装置的制造方法如下。在保持电容中,堆叠下层保持电容电极、薄的下层保持电容膜、多晶硅层、上层保持电容膜、以及上层保持电容电极。多晶硅层通过激光退火而产生的结晶化而形成。保持电容的多晶硅层即成为微结晶,而其表面平坦性良好。多晶硅层(保持电容电极)的图案形成为比开口部的底部还大,且形成为多晶硅层外周部的边缘配置在开口部的倾斜部上或开口部外的缓冲膜上。 |
申请公布号 |
CN100526962C |
申请公布日期 |
2009.08.12 |
申请号 |
CN200710154057.7 |
申请日期 |
2007.09.13 |
申请人 |
爱普生映像元器件有限公司 |
发明人 |
樱井彻;梅谷雄高;森本雄策 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程 伟 |
主权项 |
1. 一种显示装置,其在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由所述薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容,其特征在于,所述薄膜晶体管具备有:遮光层,形成在所述衬底上;多晶硅层,在所述遮光层上隔着缓冲膜而形成;栅极绝缘膜,覆盖所述多晶硅层;以及栅极电极,形成在所述栅极绝缘膜上;而所述保持电容具备有:下层保持电容电极,形成在所述衬底上;下层保持电容膜,经由形成在所述下层保持电容电极上的所述缓冲膜的开口部而与所述下层保持电容电极接触,且比所述缓冲膜还薄;保持电容电极,隔着所述下层保持电容膜而形成在所述下层保持电容电极上,且具有比所述缓冲膜上的多晶硅层的结晶粒径还小的微结晶多晶硅部分;上层保持电容膜,覆盖所述保持电容电极;以及上层保持电容电极,隔着所述上层保持电容膜而形成在所述保持电容电极上。 |
地址 |
日本长野县 |