| 发明名称 | 垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 一种垂直磁记录介质包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。由于使用了三层的垂直定位衬层，所以获得了Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。 | ||
| 申请公布号 | CN100527227C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN03148406.9 | 申请日期 | 2003.06.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李丙圭;吴薰翔 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;马 莹 |
| 主权项 | 1. 一种垂直磁记录介质，包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，其中所述多层的垂直定位衬层包括第一和第三衬层、以及在所述第一和第三衬层之间的第二衬层，所述第一和第三衬层中的每一个由Pt或Pt合金形成，所述第二衬层由Ti或Ti合金形成，并且所述第二衬层与所述第一衬层和所述第三衬层直接接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||