| 发明名称 | 晶体生长坩埚 | ||
| 摘要 | 一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分(3)，以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度T1和直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2＜T1≤5mm的条件，以及直体部分的内径D2和长度L2满足100mm＜D2和2＜L2/D2＜5的条件。 | ||
| 申请公布号 | CN100526520C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200680000827.6 | 申请日期 | 2006.03.09 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 羽木良明 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1. 一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体(2)的柱形尖端部分(3)；以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在所述尖端部分上并具有大于所述尖端部分的直径，其中所述尖端部分的厚度T1和所述直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2<T1≤5mm的条件，以及所述直体部分的内径D2和长度L2满足100mm<D2和2<L2/D2<5的条件。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||