| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有II-V族(或II-IV-V族)化合物接触层的半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的优选具体实施例的半导体发光元件包括基板、第一导电类型半导体材料层、发光层、第一电极、第二导电类型半导体材料层、II-V族(或II-IV-V族)化合物接触层、透明导电层和第二电极。该II-V族(或II-IV-V族)化合物接触层的存在改善了该第二导电类型半导体材料层和该透明导电层之间的欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100527456C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200610110828.8 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡炯棋;蔡宗良;李玉柱 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：基板；第一导电类型半导体材料层，该第一导电类型半导体材料层形成在该基板上；发光层，该发光层形成在该第一导电类型半导体材料层上致使该第一导电类型半导体材料层的部分区域外露；第一电极，该第一电极形成在该第一导电类型半导体材料层的该外露的部分区域上；第二导电类型半导体材料层，该第二导电类型半导体材料层形成在该发光层上；II-V族化合物欧姆接触层，该II-V族化合物欧姆接触层形成在该第二导电类型半导体材料层上；透明导电层，该透明导电层形成在该II-V族化合物欧姆接触层上致使该II-V族化合物欧姆接触层的部分区域外露；和第二电极，该第二电极形成在该II-V族化合物欧姆接触层的该外露的部分区域上并且接触该透明导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||