| 发明名称 | 具有凹陷式栅极的动态随机存取存储器晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种存储器阵列，其包含形成于半导体衬底(22)上的多个存储器单元(20)。所述存储器单元中的个别单元包含第一(24)及第二(26)场效应晶体管，其分别包括栅极(28/30)、沟道区及一对源极/漏极区。所述第一及第二场效应晶体管的栅极形成于所述衬底中的开口中且硬连线在一起。传导数据线形成于所述衬底中的开口中且硬连线到所述源极/漏极区中的两者。电荷存储装置硬连线到不同于源极/漏极区中的所述两者的至少一者。 | ||
| 申请公布号 | CN101506966A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200780030767.7 | 申请日期 | 2007.07.24 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 戈登·A·哈勒;山·D·唐 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1、一种存储器阵列，其包括：多个存储器单元，其形成于半导体衬底上，所述存储器单元中的个别单元包括：第一及第二场效应晶体管，其分别包括栅极、沟道区及一对源极/漏极区；所述栅极被接纳在形成于所述衬底的半传导材料内的开口内，所述源极/漏极区对中的一者被横向地接纳在所述栅极中间并由所述第一及第二晶体管共享，所述第一及第二晶体管的所述源极/漏极区对中的另一者中的每一者被横向地接纳在其相应栅极的外侧；传导数据线，其被竖向地接纳在所述栅极的外侧且与所述源极/漏极区对中的另一者中的每一者电连接；及电荷存储装置，其与所述共享源极/漏极区电连接。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||