发明名称 制造半导体传感器装置的方法和半导体传感器装置
摘要 一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法,所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1),所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3),同时包括待感测的物质的气体或液体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动,且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性,其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的多个台形半导体区域(1),接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的第二连接区域(3)。根据本发明,在形成所述多个台形半导体区域(1)之后,用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性地去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间,接下来在所得到的结构上沉积导电层(30),由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3),之后以选择性方式去除所述填充材料(4),由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。通过这种方式,利用容易在工业规模上应用的方法制造传感器装置(10),并获得高成品率。
申请公布号 CN101506648A 申请公布日期 2009.08.12
申请号 CN200780031465.1 申请日期 2007.08.21
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 O·文恩尼克;E·P·A·M·巴克斯;A·L·鲁斯特
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈松涛
主权项 1、一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法,所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1),所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3),同时包括待感测的物质的流体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动,且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性,其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的所述多个台形半导体区域(1),接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的所述第二连接区域(3),其特征在于在形成所述多个台形半导体区域(1)之后,用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间,接下来在所得到的结构上沉积导电层(30),由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3),之后以选择性方式去除所述填充材料(4),由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。
地址 荷兰艾恩德霍芬