| 发明名称 | 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)。该TFT包括：栅电极；在栅电极上形成的介电层和有源层；和在有源层上形成的源电极和漏电极，源电极和漏电极中每一个包括多个突出部分以及每个突出部分之间的空间；其中，源电极和漏电极彼此隔开且彼此啮合，以及其中，栅电极和源电极彼此重叠，且栅电极和漏电极彼此重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN101504952A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200910126739.6 | 申请日期 | 2009.02.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴基凡;金东奎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的介电层和有源层；和在有源层上形成的源电极和漏电极，源电极和漏电极中每一个包括多个突出部分；其中，源电极和漏电极彼此隔开，源电极和漏电极的突出部分彼此啮合且同时通过间隙而分离，以及其中，栅电极和源电极彼此重叠，且栅电极和漏电极彼此重叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||