| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置和半导体装置的制造方法，在本发明的半导体装置中，在基板上的绝缘体层上设置槽，在该槽中形成栅极电极以使其表面与所述绝缘体层的表面大致平坦。在该栅极电极上经由栅极绝缘膜设置半导体层，使源极电极和漏极电极的至少一个与该半导体层电连接。特别是所述栅极绝缘膜具有：在所述栅极电极上设置的绝缘体涂布膜和在其上形成的绝缘体CVD膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101506985A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200780031095.1 | 申请日期 | 2007.09.21 |
| 申请人 | 国产大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;杉谷耕一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，具有：基板、设置在该基板上且具有槽的绝缘体层、设置在所述槽中以使其表面与所述绝缘体层的表面大致平坦的导电体层、设置在该导电体层上的绝缘膜、在所述导电体层的至少一部分上方并且在所述绝缘膜上设置的半导体层，其特征在于，所述绝缘膜具有绝缘体涂布膜。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||