半导体装置、组合件和构造以及形成半导体装置、组合件和构造的方法

摘要

本文揭示的实施例包含方法，其中在半导体材料中形成一对开口，所述开口通过所述半导体材料的区段而彼此间隔开。沿着所述开口的侧壁形成衬垫，且随后从所述开口的底部各向同性蚀刻半导体材料，以合并所述开口且借此完全底切所述半导体材料区段。本文揭示的实施例可用于形成SOI构造，以及形成具有完全包围沟道区的晶体管栅极的场效应晶体管。本文揭示的实施例还包含具有包围沟道区的晶体管栅极的半导体构造，以及其中绝缘性材料将上部半导体材料与下部半导体材料完全分离的构造。

主权项

1. 一种形成半导体装置的方法，其包括：在半导体材料中形成一对开口，所述开口由所述半导体材料的区段将彼此间隔开；沿着所述开口的侧壁形成衬垫；以及从所述加衬开口的底部各向同性蚀刻半导体材料，以合并所述开口且借此完全底切所述区段。