| 发明名称 | 在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤 | ||
| 摘要 | 提供一种蚀刻基片斜缘的方法。在该蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模。清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO<sub>2</sub>、CO、C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>、H<sub>2</sub>、NH<sub>3</sub>、C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>和其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层，以及去除该光刻胶掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101506939A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200780031547.6 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 金允尚;安德鲁·贝利三世;杰克·陈 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1. 一种蚀刻基片斜缘的方法，包括：在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO2、CO、CxHy、H2、NH3、CxHyFz或其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子；穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；以及去除该光刻胶掩模。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||