IGBT用硅晶片及其制备方法

摘要

一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×10¹⁷原子/cm³或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。

主权项

1、一种IGBT用硅晶片的制造方法，其特征在于通过直拉法形成晶格间的氧浓度[Oi]为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对前述硅锭照射中子束，以4.3×1013原子/cm3～2.2×1014原子/cm3的浓度掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足下式(1)的温度T下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上形成应变层，[Oi]≤2. 123×1021exp(-1.035/k(T+273)) (1)其中，[Oi]是根据ASTM F-121(1979)规定的傅立叶变换红外分光光度法的测定值，k是波尔兹曼常数8.617×10-5，单位是eV/K，T的单位是℃，并且在形成前述硅锭时，掺杂氮，形成氮浓度为大于2×1013原子/cm3并且小于或等于5×1015原子/cm3的硅锭。