| 发明名称 | 电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 冷阴极场电子发射元件的制造方法由下列工序组成：(a)在设置于支撑体(10)上的阴极电极(11)的所希望的区域上，形成由母材(21)掩埋了碳纳米管结构体(20)的复合体层(22)的工序；以及(b)在使剥离层(24)附着于复合体层(22)的表面后，用机械方法将剥离层(24)剥离，在顶端部突出的状态下，得到碳纳米管结构体(20)被埋入母材(21)中的电子发射部(15)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100527310C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN02816284.6 | 申请日期 | 2002.11.18 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 八木贵郎;岛村敏规 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;王忠忠 |
| 主权项 | 1. 一种电子发射体的制造方法，其特征在于，由下述工序构成：(a)在基体上形成由母材掩埋碳纳米管结构体的复合体层的工序；以及(b)在使剥离层附着于复合体层的表面后，用机械方法将剥离层剥离，在顶端部突出的状态下，得到将碳纳米管结构体埋入母材中的电子发射体的工序，其中，上述工序(a)包括将分散了碳纳米管结构体的有机酸金属化合物溶液涂敷在基体上并且随后对有机酸金属化合物进行焙烧的工序，剥离层的机械式剥离在剥离力具有基体的法线方向的分量的状态下进行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||