| 发明名称 | 使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10<sup>-3</sup>Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101506986A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200780031168.7 | 申请日期 | 2007.07.26 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 板垣奈穗;田透;加地信幸;林享;佐野政史 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含：形成所述有源层的步骤，所述形成所述有源层的步骤包含：在具有1×10-3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤；以及在氧化气氛中对所述氧化物膜退火的第二步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||