| 发明名称 | 用来制造掺杂的Ⅲ - N大块晶体以及自支撑的、掺杂的Ⅲ - N衬底的方法以及掺杂的Ⅲ - N大块晶体和自支撑的、掺杂的Ⅲ - N衬底 | ||
| 摘要 | 本发明介绍了用于制造掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III-N大块晶体以及由其分割而成的III-N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101506947A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200680055569.1 | 申请日期 | 2006.08.09 |
| 申请人 | 夫莱堡复合材料公司 | 发明人 | 费迪南德·肖尔茨;彼得·布鲁克纳;弗兰克·哈贝尔;贡纳尔·莱比戈 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 车 文;安 翔 |
| 主权项 | 1. 用于制造掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，所述掺杂的晶态III-N层或者所述掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质的到所述反应器中的输送共同地并且以与至少一种III族材料混合的方式实施。 | ||
| 地址 | 德国夫莱堡 | ||