| 发明名称 | 氮化物半导体单晶基材及其合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m<sup>1/2</sup>或更大以及表面积为20cm<sup>2</sup>；或者它具有通式Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm<sup>-1</sup>或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN101503824A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200910005871.1 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤原伸介;中畑成二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1. 一种氮化物半导体单晶基材，它具有通式GaN表示的组成，其特征在于断裂韧度为1.2MPa.m1/2或更大以及表面积为20cm2或更大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||