制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片

摘要

本发明涉及制造III族氮化物衬底晶片的方法和III族氮化物衬底晶片。单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

主权项

1. 一种制造III族氮化物衬底晶片的方法，包括如下步骤：准备三个或更多个III族氮化物衬底晶片，所述晶片具有等于或大于40mm的直径和长度为2mm至30mm的晶向平面OF；在与抛光板的旋转相关的OF面向前(f)、向后(b)或向内(u)的方向上，将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片胶合在圆形抛光板的底部上；以及将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片的表面进行平面处理，使之成为具有小于或等于200μm的水平宽度(e)和小于或等于100μm的垂直深度(g)的斜面的镜面表面。