振动传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO₂薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO₂构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。

主权项

1. 一种振动传感器的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在由单晶硅构成的半导体基板的一部分表面由如下材料形成保护层，所述材料被用于蚀刻所述半导体基板的蚀刻剂各向同性地蚀刻；在所述保护层及所述保护层周围的所述半导体基板的表面之上，由对所述蚀刻剂具有抗蚀性的材料形成元件薄膜保护膜；在所述保护层的上方形成由单晶硅、多晶硅或非晶硅构成的元件薄膜；在形成于所述半导体基板背面的背面保护膜开设背面蚀刻窗，所述背面保护膜对蚀刻所述半导体基板用的蚀刻剂具有抗蚀性；通过利用蚀刻剂从所述背面蚀刻窗对所述半导体基板从背面侧进行晶体各向异性蚀刻，在该蚀刻到达所述半导体基板的表面后，利用所述蚀刻剂对所述保护层进行各向同性蚀刻，并且利用在所述保护层被蚀刻除去后的印记空间中扩展的所述蚀刻剂，对所述半导体基板从表面侧进行晶体各向异性蚀刻，在所述半导体基板形成贯通孔；将所述元件薄膜保护膜部分地除去而使其一部分残留，利用残留的所述元件薄膜保护膜在所述半导体基板的上面设置用于支承所述元件薄膜的保持部。